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正文摘录:

市场纵横域中，主板以及台式机、笔记本电源则是MC)SFET最主要的应用产品。受到消费电子以及高输出电流和高性能要求的计算机市场的带动.低压MOSFET市场在未来将保持着比较快的增长趋势。对干高压MC)St：ET来|兑，电源的高能效要求则是影响产品未来发展的主要因素。而随着汽车中Ic用量的逐步增多，为了满足这些日益增多的Ic对电源的需求，M()SFET的用量也呈现出上升趋势。现阶段，MC)StiET在汽车领域中主要应用在发动机、车灯控制、音响系统、车身控制、引擎管理、防盗，车厢环境控制.动力传输系统等。但由干功率ME)SflET在汽车中通常住相对恶劣的环境条件下工作，所以对于MC)SFET的可靠性要求较高，如何解决环境温度升高引起的器件产茄不稳定性足生产厂商必须解决的问题。除此之外，工业控制也是MC)SFET市场的另一大主要应用领域。由于Tfench(沟槽)技术能够有效地降低产品的导通电阻，并且具有较大电流处理能力，所以近年来TrenchMC)SF：ET在计算机、消费电}等领域中发展快速。目前，对于低压MOStlFT产品，TrenchMOSl~ET技术已被市场所接受，具有很高的市场占有率。但由于TrenchM(9SDET器件结构的特点，使得TrenchME)St：ET产品在击穿电压鳓I·誊孑座品时暴l2008n～Vweepwcomcn上的承受能力较小。不过，随着制作工艺中的清洗技术及离子刻蚀技术的日渐成熟，TrenchMC)sFET的击穿电压也得到了逐步的提升。但从整体上来看，在高压M(9SF÷ET市场上，平面技术仍有一定的发展空间。未来，含有高端工艺的平面技术将会是高压MC)SIiET的发展趋势。在600＼，以上的高压产品中，IGBT也一直保持着良好的发展势头。目前，[GBT主要应用在工业控制，消费电子等领域中。而网络通信和计算机领域由于应用到IGBT的整机产品有限，故对IGBT的需求量不大。从电压结构上看，600～1200＼，将是IGBT最主要的电压应用等级。由十工业控制领域用IGBT以600“9’、1200＼，和1700V为主。同时，IPM／S[’M或PIM摸块也广泛应用在工业产品中，t这就使得用于工业控制领域的IGBT平均价格较高，从而提升了其销售额的市场占有率。在下游整机产品的带动下，预计，2007～2010年巾国IGBT市场销售额年均复合增长率为19.3％。纵观整个中国功率器件市场，国外厂商凭借着技术，资金的优势在电源管理芯片、MC)sFET、IGBT等高端产品中占据绝对优势地位。Fairclaild、sT、IR等欧美企业在中国MC9S1-ET市场上一直位于领先地位，SemikrorI.EuPEc、Mitsublshi则在IGBT甫场上表现不俗，对于电源管理芯片市场来说，TIⅢ0是最大的供应商。相较于国际犬厂在高端产品市场中的出色表现，国内企业则主要从事一些低端产品的生产。国内企业纷纷进入低端功率器件市场，使得国内功率器件市场厂商集中度要低干M(9SDET、IGBT和电源管理芯片等高端产品市场。从整体市场上看，中国功率器件市场中依旧是Ru。r{：Mid，sT、TI、IR等国际大厂占据领先地位。鹫