• 《电子产品世界》2007年第12期摘录:

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正文摘录:

图4示出了在AC输入和逆变器输出功率测量值基础上得到的逆变器+PFC效率数据。PFC工作在连续电流模式下,其数字计算刷新速率为20kHz,PWM载波频率为40kHz。PFC+逆变器组合的总效率超过了95%。图5效率测试结果(PFC+压缩机逆变器)充裕的处理能力,可以在片上执行数字功率因数修正,从而可以进一步取消一批外接的元件。McE可以通过寄存器来进行定义,以便满足特定的系统参数。然而,由于FOC’转矩控制环路在硬件方面已经得到了优化,客户的工程师只需要对更外圈的速度和位置环路进行定制化,以便完成任何具体项目的数字设计任务。这可以通过一件基于PC的配置工具方面地实现。iMOTl0N模拟和功率模块与数字控制和电力电子模块兼容的3相模拟驱动器和保护IC,也作为iMotion平台的一部分提供。这些Ic包含3个独立的、内置阴极负载二极管(1900tstr。_dpdiode)的600V半桥逆变器栅驱动器(invertergatedriver)。这样的集成水平所带来的好处包括参数的匹配性,如高端和低端通道的传输延迟方面的匹配。这些参数在产品的整个寿命期中也可以保持稳定性。设计提供了死区插入(【)eadtimeinsetxion)功能和保护功能,包括逆变器的过流脱扣动作和带MotorInputPowerIkWl自动故障清除功能的欠压切断保护(Lockout)。单独的功率和信号地线连接可以在低端IGBT上实现单一的DC线配置,以完成电流敏感。设计中还有交叉导通保护,该功能可以防止意外出现的直通,从而提高逆变器的可靠性。作为iM()T=ION系列产品的一部分而提供的功率开关元件,则是高效率的耗尽一阻止TrenchIGBT,它们可以构成多种构形,包括各种分立的和集成的模块。与穿通(punch—through,PT)和非穿通(NPT)IGBT相比,这些器件展示了更低的集电极一发射极饱和电压(V。。。、)和总开关损耗(ETS)。开发l:共与支持为了简化客户的设计负担,提供了基于iMOTl0N平台的开发系统。举例来说,IRMCF3xx开发工具包括了多种参考设计,其中包含IRMcF3xx芯片以及一个与之相配套的iM()TION功率级和附属电路。这使得基本的功能度可以在项目的早期就得到验证,从而让设计团队的注意力能够快速转向应用开发。所提供的控制器IC包含了8051内核,到MCE的接口已经载入了嵌入式软件。该芯片还包括了MCE本身以及集成的模拟信号引擎。8051应用的开发在c环境中完成,利用可以广泛获得的、在Pc上运行的开发工具实现,而8051内核可以通过所提供的JTAG端口下载。MC:E可以在无需代码的情况下完成快速配置。用户只需简单地将高层次的参数输入“驱动参数计算器”(DrivePar-ameterc'.alcula—tor)即可。在MCE[)esigner。工具的控制下,这些数据随后被自动地转换为恰当的数值,并被写入8051主控寄存器接口中。MC:EDesigner作为iMOTION平台的一部分提供。将MCEIP和相关的应用层以及模拟信号调理功能嵌入到一系列控制器IC中,将可以显著地降低针对特定应用的调速电机控制的开发中所隐藏的成本和风险。这些将包括各种调速功能能发挥其作用的设备类型,这些设备的l^暮+u岂一^。u丑苗一墨pJ∞o∞Ja;口L

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