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正文摘录:

2007年第8期总第247义，在大规模数模混合集成电路中很有应用潜力。i毒基一言吾暮首譬“。u，·s。，匦蟊／／工＼—，一—／、—～／／┗┻┻┻┻┻┻┻┛‘’”¨”’¨：?，.：’Ⅶ¨。。医五习医习＼、Ⅵ』／。n^”’0┗┻┻┻┻┻┻┻┛际i==—]bnm!坐兰————_l_＼／＼／＼!￡／┗┻┻┻┻┻┛图2ADS仿真结果参考文献[I]SungkyungPark，WonchanKim.Designofa1.8GHzLow—noiseAmplifierforRFFrontEndina0.8pmCMOSTech—nology[J].IEEETransactionsonConsumerElectronics.2001，47(1)：10—15.[2]ThomasLeeH.CMOS射频集成电路设计rM].北京：电子工业出版社，2004.[3]EgelsM，GaubertJ，PannierP，et日z.DesignMethodforFullyIntegratedCMOSRFI，NA[J].EtettronicsLetters，2004，40(24)：1513—1514.[4]KimHS.A2.4GHzCMOSLowNoiseAmplifierUsinganInter—stageMatchingInductor[J].CircuitsandSystems，42ndMidwestSymposiumon，2000(2)：1040—1043.[53JieLong，RobertWeberJ.AI.OWVoltageLowNoiseCMOSRFReceiverFrontend[A].Proceedingsofthe17thInter—nationalConferenceonVLSIDesign[C].2004：393—397.[6]AliF，HutchinsonC，PodellA.ANovelCascodeFeedbackGaAsMMICI，NAwithTransformerCoupledOutputUsingMultipleFabricationProcess[J].IEEEMicrowaveandGuidedWaveI。ett.，1992(2)：70—72.[7]JihakJung，KyunghoChung，TaeyeoulYun，eta1.HoontaeKim.UltraWidebandLowNoiseAmplifierUsingaCaseodeFeedbackTopology[J].MicrowaveandOpticalTechnologyI.etters，2006：203—205.[8]林嘉锐.模拟高频电子电路[M].北京：科学技术文献出版社，1986.[9]ShaefferDK，LeeTH.A1.5V1.5GHzCMOSLowNoiseAmplifier[J].IEEESolid—StateCircuits，1997(32)：745—759.作者简介张君玲女，1981年出生，福建省厦门市人，在读硕士研究生。主要从事CMOS射频集成电路的设计与研究。(上接第20页)查阅有关AwG导线规格可用AWGl9线，其A，。0.65mm。。副边绕组：P。一P。。叩一50*0.75—37.5WI。一P。／g。一37.5／5—7.5A；副边绕组截面积S，：S，一，。，／J一7.5／4一1.88mm。导线直径d。，一(4*S，／3.14)”。／r。；“：并联根数取2；将数据代人得：d。，一0.77rnm；查阅有关AWG导线规格可用AWG21，其d一0.785mm。5结语变压器磁芯的AB的取值对磁芯体积、损耗工作稳定性都有直接影响，导线的电流密度取值受磁芯AP值限制，决定于散热方式。最优化设计应同时考虑体积、温升、成本因素来确定。参考文献[1]张占松，蔡宣三.开关电源的原理与设计[M].北京：电子工业出版社，2004.作者简介吕银芳女，1989年毕业于华中理工大学，工程师。从事铁氧体材料，变压器，滤波器等器件的研究开发工作。许会玲女，1992年毕业于成都电子科技大学工程师，从事电子分配器，调谐器的设计工作。王侃权男，1989年毕业于电子机械高等专科学校，助工。从事专用设备设计制造工作。23如。∞扑_差¨!d∞百