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正文摘录:

蒲长意等：一种采用曲鍪奎E堡蘧查笪奎蕉鏖篮堕墨蕉鱼壁遭5mV，在25℃时达到最大1.282V。V。。从5.022～5.043V变化，温度系数达到20ppm／~C。25℃时，V“从7--40V变化时，、，“在1.28169～1.28212V之间变化，变化量为0.43mV，如图4所示。他能满足PWM电路对基准源要求，温漂较小和电源电压抑制比高。经流片测试，其完全满足PWM对基准源各种参数的要求。：凑李iii＼!=======≥二-#0、二：：拳：………-}……-……-·+·、.…I_、‘l0、0、┗┻┛图4仿真结果由于是模拟电路，版图设计需要很高的精度。器件应该匹配，布局布线要合理。为了得到精确基准电压，Q·与Q发射极面积的比值要做到很精确，版图设计中，采用了相同面积的发射极版图的组合结构。此外为了提高电阻的相对精度，把要求成比例的电阻用完全相同的条形电阻间隔放置，再通过串联或并联而成，并尽量远离发热量大的器件。用该基准实现的脉宽调制电路的版图。如图6所示。：：：爿一／F’i／一／／／。／┻┻┻、／一；：┗┻┻┛图5基准y“随电源电压Vc。变化的仿真结果5结语图6电路版图本文在分析典型带隙基准结构的基础上，采用曲率补偿，设计了一种具有高电源抑制比，低温度系数的电压基准电路，7V电源供电时，功耗大约有9mW。将其用于PwM电路中，并流片实现，能够满足PWM对基准的要求。参考文献[1][美]毕查德·拉扎维.模拟CMOS集成电路设计[M].陈贵灿，程军，张瑞智，等，译.西安：西安交通大学出版社，2003.[2]朱正涌.半导体集成电路[M].北京：清华大学出版社，2001.r3]BanbaH，ShigaH.UmezawA，eta1.ACMOSBandgapReferenceCircuitwithSub一1一VOperation[J].IEEEJournalofSolid—stateCircuits.1999，34(5)：670—674.[4]PhillipEAllen，DouhlarsRHolberg.CMOSAnalogCircuitDesign[M].2ndEdition.OxfordUniversityPress，2002.[5]GrayPR，MeyerRG.AnalysisandDesignofAnalogInte—gratedCircuits.1993：317—342.[6]钟昌贤，张波，周浩，等.一个1.2V.9ppm／~C的CMOS带隙电压基准源[J].现代电子技术，2006，29(16)：120—l22.】25.作者简介蒲长意男，1981年出生，陕西西安人，在读硕士研究生。主要研究方向为IC设计技术。(上接第3页)过测试，达到了预期的设计目标。多功能电一[测量仪能测量和显示多个直流信号的电压、电流。多个交流信号的幅度、相位、频率。并且能配置不同的A／D采样电路。通过与虚拟仪器系统LabVIEW5.1的接口，能充分发挥该仪器的功能。该仪器在电工实验和电子测量中能代替传统的测量仪器，具有一定的实际意义。参考文献Eli李方慧，王飞，何佩琨.TMS320C6000系列DSPs的原理与应用[M].北京：电子工业出版社，2003.[2]丁士心.崔桂梅.虚拟仪器技术[M].北京：科学出版社，2005.[3]吴相淇.信号、系统与信号处理[M].北京：电子工业出版社，1996.[4]胡广书.现代信号处理教程[M].北京：清华大学出版社，2004.[5]赵茂泰.智能仪器原理及应用[M-i.2版.北京：电子工业出版社，2004.作者简介包淑萍女.1964年出生。讲师。主要从事计算机与自动化方向的研究。曾宪武男.1965年出生，博士研究生。主要从事通信与自动化方向的研究。}f；}弓屿矾.磊∞垂弓船