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正文摘录:

2007年第8其目总第247A·，Az和A。是Q·，Q2和Q的发射极面积，且A：是A，的N倍～，是A，的M倍。横向PNP管Qd，Q，Q构成恒流源。△Vm—V一一V一一等-n笔一等·n筹一等lnN(Q.，Q，两管结构相同，所以可以假定，。。一J。：)。将这个压差加在尺。上，则流过的电流J。。等于Q。发射极的电流J，。为：、k钆。一訾一篑，噜一筹-nN㈣设流过R。上的电流可以近似为Q的发射极电流J。则有：LR—V一一乩c。一等·n(M等)一等-n(M每)0＼』。t，a、』。，，所以：L一篑-n(M每)一篑·nM+篑-n每一篑-n(筹-nN)+篑c-nr一-¨。，㈦其中N是Q：，Q，的发射级面积的比值，M为Q。，Q.的发射级面积的比值。经过R。的电流设为，。。，则：k一2簧1nN+篑in(筹1nN)+篑(1nT—l叽)(4)式(3)右边前两项是，。：的PTAT部分设为J。，，而第三项为非线性部分设为，NL，于是，。：可以表示为：，。，一J…。+J。(5)fa)懊型带I靴罐准电胝{乜蹄图2基准核心电路可见，图2的电路结构可以对VHE中随温度变化的非线性部分进行补偿，以达到较好的温度特性。由文献[5]可知：V。。(丁)一V。，。一VT[(y一理)lnT—In(历)]一v。。一生q其中，y，a，E，G为与温度无关的常数。令：J，。。，R：...一竖ln昭(7)，Nl_R2一竺()，一口)ln丁(8)g把J，。。。与，。的值代入，并联立式(7)，(8)得一不定方程，经过不断迭代和仿真，总是可以找到一个工作点实现较好的温度补偿。从图(2)，可以得出：V“一VBF+JR2R2(9)把式(4)代入式(9)中，得最终的基准电压为：Kt一‰z+『z篑-nN+篑-n(筹tnN)+篆(1n丁_l¨“)]尺z(1O)3.2启动电路如图3所示，N。，，Q。。构成启动电路。当加电源后，NJFET处于常通状态，沟道较长，相当与一个大电阻，Q。。导通，于是给Q。，Q提供基极电流，同时，Q。。的集电极有电流通过，由于Q与Q。。的镜像作用，Q的集电极电流使得Q管打开，给基准电路提供一个工作电压，电路开始工作，通过改变R。与R，的比值，可以调整V。。，的输出电压。作为启动电路，为了不影响电路正常工作，在基准建立以起来以后，要能自动关掉。Q。～Q.。是用来关断启动电路，当基准建立起来之后，B点的电位被钳至到两个BE节压降，Q，。截止，此时Q。。的集电极电流由Q…Q，，组成的电流镜提供，从而保证基准电路正常工作。电容C用来是滤波，可以提高了电路的电源抑制比。由于电路中没有采用运算放大器，可避免引人失调对基准电压精度产生影响。图3完整的能隙基准电压产生电路4电路仿真结果在SUN工作站上用CADAEN(：E的HSPI(：E仿真工具对电路进行了对基准电压源分别进行温度分析及电源变化分析仿真，如图4所示，当温度从一55～125℃温度范围变化时，V。从1.277～1.282V变化，最大变化为