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正文摘录:

杨立杰：多路输出单端反激式开关电源设计于7800系列稳压器相同。I)IP一8封装及SME)一8封装各有8个引脚，但均可简化为3个。二者区别是I)IP一8可配8脚IC插座，SMD一8则为表面贴片，不需打孔焊接。DIP.8SMD.8S高s爱s馈DCSDTO一220图1T()PSwitch系列芯片封装图漏极(D)与内部功率开关器件M()SFlET相连，外部通过负载电感与主电源相连，在启动状态下通过内部开关式高压电源提供内部偏置电流，并设有电流检测。控制极(C)用于占空比控制的误差放大器和反馈电流的输入脚，与内部并联稳压器连接，提供正常工作时的内部偏置电流，同时也是提供旁路、自动重起和补偿功能的电容连接点。源极(S)与高压功率回路的MC)SFET的源极相连，兼做初级电路的公共点与参考点。内部输出极M()SF、ET的占空比随控制脚电流的增加而线性下降，控制电压的典型值为5.7V，极限电压为9V，控制端最大允许电流100mA。在设计芯片时还对阈值电压采取了温度补偿措施，以消除因漏源导通电阻随端，用于滤除电网干扰，C5接在高压和地之间，用于滤除高频变压器初、次级后和电容产生的共模干扰，在国际标准中被称为“y电容”。C。跟C5都称作安全电容，但C，专门滤除电网线之间的串模干扰，被称为“X电容”。表lTOPSwitch系列输出功率对照表To一220封装(Y)DIt’一8封装(P)SMD一8封装(G)产品型号固定输入瑟范昊产品型号固定输入蠢范昊T()P221Y127TC)P221P／G96T()P222Y2515TC)P222P／G1510T()P223Y5030TC)P223P／G2515T()P224Y7545TC)P224P／G3020┗┻┛温度变化而引起的漏极电流的变化。当芯片结温大于135℃时，过热保护电路就输出高电平，关断输出极.此时控制电压V，进入滞后调节模式，V。端波形也变成幅度为4.7～5.7V的锯齿波。若要重新启动电路，需断电后再接通电路开关，或者将V降至3.3V以下，再利用上电复位电路将内部触发器置零，使M()SFET恢复正常工作。采用T()PSwitch一Ⅱ系列设计单片开关电源时所需外接元器件少，而且器件对电路板布局以及输入总线瞬变的敏感性大大减少，故设计十分方便，性能稳定，性价比更高。该系列产品分类及最大输出功率如表1所示。对于芯片的选择主要考虑输入电压和功率。由设计要求可知，输入电压为宽范围输入，输出功率不大于10W，故选择T()P222G。4电路设计本开关电源的原理图如图2所示。4.1主电路设计电源主电路为反激式，C。，L。，C2接在交流电源进线24图2开关电源原理图为承受可能从电网线窜入的电击，在交流端并联一只标称电压U，mA为275V的压敏电阻VSR。鉴于在功率M()SFET关断的瞬间，高频变压器的漏感产生尖峰电压U』J，另外在原边上会产生感应反向电动势uon，二者叠加在直流输入电压上。典型的情况下，交流输入电压经整流桥整流后最高电压U。。一380v，U。，△165V，L，¨n一135V，则乩s+仉+【JoR全680V。这就要求功率M()SFET至少能承受’700V的高压，同时还必须在漏极增加钳位电路，用以吸收尖峰电压，保护T()P222G中的功率M()SFET。本电源的钳位电路由D2，D。组成。其中Dz为瞬态电压抑制器(TVS)P6KE200，现为超快恢复二极管UF4005。当MC)SFET导通时，原边电压迹象上端为正，下端为负，使得D。截止，钳位电路不起作用。当M()SFET截止瞬间，原边电压变为下端为正，上端为负，此时D。导通，电压被限制在200V左右。4.2输出环节设计以+5V输出环节为例，次级线圈上的高频电压经过‰掣器～